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SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) D램 생산 비중을 빠르게 확대하고 있다. 차세대 고대역폭메모리(HBM4E)부터 1c D램이 HBM을 쌓아 올리는 핵심 칩으로 적용되는 만큼 공정 전환에 속도를 내는 모습이다. 서버·인공지능(AI)향 고부가 메모리 수요가 늘어나는 가운데 삼성전자·마이크론과의 미세공정 전환 경쟁도 한층 치열해지는 양상이다. ◇ “연내 1

중국 CXMT가 지난 29일 웨이보를 통해 차세대 저전력 D램 ‘LPDDR6’ 양산을 공식화하며 이를 “세계 최초 상용화”라고 자평했지만, 제품 사양과 계획 등을 점검하면 현실성이 떨어진다는 지적이 이어지고 있습니다. 삼성전자와 SK하이닉스는 이미 같은 제품 개발을 마치고 올 하반기 양산 채비를 갖춘 상태로, CXMT의 ‘최초’ 주장이 업계 상식과 맞지 않

SK하이닉스, 소캠2 192GB 본격 양산SK하이닉스, 소캠2 192GB 본격 양산 (서울=연합뉴스) SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) LPDDR5X 저전력 D램 기반 차세대 메모리 모듈 규격인 SOCAMM(소캠·서버용 저전력 메모리 모듈)2 192GB 제품을 본격 양산한다고 20일 밝혔다. 사진은 SK하이닉스 소캠2 192GB 제품. 2026.4.20 [SK하이닉스 제공. 재판매 및 DB 금지] photo@yna.co.kr (끝) ...

SK하이닉스가 차세대 AI 서버용 메모리 모듈인 SOCAMM2 192GB 제품 양산에 들어갔다고 20일 밝혔다. SOCAMM2는 저전력 D램(LPDDR)을 기반으로 서버 환경에 맞게 설계된 메모리 모듈로, AI 서버 등에서 활용되는 제품이다. 이번 제품은 10나노급 6세대(1c) 공정 기반 LPDDR5X를 적용했으며, 기존 서버용 RDIMM 대비 대역폭과

삼성전자가 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4용 D램 수율을 끌어올리는 데 총력을 기울이고 있다. 현재 업계 최첨단 10나노 6세대(1c) D램 수율은 예상보다 빠르게 끌어올렸지만, HBM4에 필요한 실효 수율은 아직 추가 보완이 필요한 상태다. 15일 업계에 따르면 삼성전자의 1c D램 수율은 최근 의미 있는 수준까지 올라온 것으로 전해졌다. 업계에

삼성전자와 SK하이닉스가 16~19일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 열리는 엔비디아의 연례 개발자 회의 ‘GTC 2026’에 참가했다. 두 회사는 엔비디아의 최신 인공지능(AI) 가속기 ‘베라루빈’에 탑재되는 6세대 고대역폭메모리(HBM) ‘HBM4’를 선보였다. 삼성전자는 메모리와 파운드리(반도체위탁생산), 첨단패키징 등 역량을 모두 보유한 종합반도체기업(IDM)으로서의 강점을 부각해 전시를 연다. ‘HBM4 히어로 홀’을 마련해 삼성전자의 HBM 기술력을 가장 먼저 볼 수 있도록 동선을 구성했다. 삼성전자는 HBM4에 반도체 회로 선폭이 10nm(나노미터·1나노미터는 10억분의 1m)급인 6세대 D램 미세 공정(1c)을 최초 도입해 강도높은 엔비디아의 품질 테스트를 통과했다. 반도체는 공정이 미세해질수록 데이터 처리 속도가 빨라지고 전력 효율이 높아지만, 그만큼 수율(정상품 비율) 관리가 어려워진다. 삼성전자가 HBM4 양산 출하에 성공했다는 건 수율 관리에 성공했다

인공지능(AI)의 고도화로 인해 저전력, 고효율 메모리 반도체에 대한 수요가 커지고 있다. 기존의 값비싸고 성능이 뛰어난 고대역폭메모리(HBM) 일변도에서 벗어나 AI용 ‘가성비’ 메모리 시장이 본격적으로 열리기 시작한 것이다. 여기에 맞춰 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 3사의 신제품 경쟁도 치열해지고 있다.SK하이닉스는 10일 6세대(1c) 공정으로 만든 16Gb(기가비트) 저전력(LP)DDR6 D램을 세계 최초로 개발했다고 밝혔다. LPDDR은 스마트폰, 태블릿 등 모바일 제품에 들어가는 D램이다. 1c는 현재 메모리 업계에서 상용화된 D램 공정 가운데 가장 앞선 공정이다. SK하이닉스의 LPDDR6는 이전 세대인 LPDDR5X 대비 데이터 처리 속도가 33% 향상됐다. 전력은 20% 이상 절감하는 구조로 설계됐다. SK하이닉스는 상반기(1∼6월) 내 양산 준비를 마치고 하반기(7∼12월)부터 제품을 공급할 예정이다. SK하이닉스는 “스마트폰, 태블릿 등 기기

인공지능(AI)이 고도화, 다변화하며 저전력·고효율 메모리 반도체를 둘러싼 경쟁이 치열해지고 있다. AI의 활용처가 확대되며 기존 고대역폭메모리(HBM)와 같은 고성능 중심에서 ‘가성비’ 제품으로 반도체 생태계가 확장되는 것이다.SK하이닉스는 10일 6세대(1c) 공정으로 만든 16기가비트(Gb) 저전력(LP)DDR6 D램을 세계 최초로 개발했다고 밝혔다. LPDDR은 스마트폰, 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램이다. 반도체는 미세 공정일수록 높은 성능과 전력 효율을 나타내는데 1c 공정은 현재 상용화된 D램 공정 가운데 가장 미세한 첨단 공정이다. SK하이닉스는 “상반기(1~6월) 내 양산 준비를 마치고 하반기(7~12월)부터 제품을 공급, AI 구현에 최적화된 범용 메모리 라인업을 구축해 나가겠다”고 했다.SK하이닉스의 1c LPDDR6는 스마트폰, 태블릿 등 기기 내 AI를 탑재한 ‘온디바이스 AI’에 주로 활용될 전망이다. 이전 세대인 LPDDR5X 대비 데이터

SK하이닉스는 10일 10나노급 6세대(1c) 미세 공정을 적용한 16기가비트(Gb) LPDDR6 D램 개발에 성공하며 모바일 AI 메모리 시장의 세대교체를 선언했다. 이번 성과는 지난 1월 국제 가전 박람회(CES)에서 기술적 청사진을 제시한 이후, 업계에서 가장 빠르게 제품 인증을 마쳤다는 점에서 의미가 크다.신제품은 정보 처리 속도를 이전 세대 대비 33% 끌어올려 초당 10.7기가비트 이상의 동작 속도를 구현했다. 이는 기기 자체에서 인공지능 연산을 수행하는 온디바이스 AI 환경에서 데이터 병목 현상을 해결할 핵심 열쇠가 될 전망이다. 전력 소모를 20% 이상 절감하며 모바일 기기의 고질적인 문제인 배터리 효율과 발열 제어 능력을 동시에 확보했다는 평가를 받는다.업계에서는 이번 개발을 두고 SK하이닉스가 고대역폭 메모리(HBM) 시장의 성공 방정식을 저전력 메모리 시장으로 이식했다는 분석을 내놓고 있다. 서버용 AI 시장을 장악한 데 이어, 스마트폰과 태블릿 등 일반 사용

SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb(기가비트) LPDDR6 D램을 개발하는 데 성공했다고 10일 밝혔다. 회사는 지난 1월 CES 전시에서 해당 제품을 공개한 이후 최근 세계 최초로 1c LPDDR6 제품 개발 인증을 완료했다. SK하이닉스는 “상반기내 양산 준비를 마치고, 하반기부터 제품을 공급해 AI 구현에 최적화된 범용 메