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미국 메모리 반도체 기업 마이크론이 차세대 D램 기술로 주목받는 ‘4F²(포에프스퀘어)’ 대신 3차원(3D) D램 개발에 집중하기로 했다. 삼성전자와 SK하이닉스가 4F²와 3D D램을 모두 연구하는 것과는 다른 행보다. 최근 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 4F² 기술을 적용한 D램 출시를 예고하면서 글로벌 메모리 업체들의 기술 개발 전략이 엇갈리고

중국 최대 D램 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 초미세 공정 기술 개발에 속도를 내겠다는 계획을 밝혔다. 인공지능(AI) 확산으로 2030년까지 D램 시장이 빠르게 성장할 것으로 보고, 기존 공정의 미세화와 차세대 메모리 구조 개발을 병행한다는 전략이다. CXMT는 최근 5세대 D램 공정 양산에 들어가고 최신 모바일 메모리인 LPDDR6까지 제품군을

중국 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 D램 셀 구조인 ‘4F²(에프스퀘어)’ 기술을 공개하면서 삼성전자와 SK하이닉스의 기술 우위가 흔들릴 수 있다는 우려가 나오고 있다. CXMT가 해당 기술을 적용한 서버용 D램을 연내 출시하겠다는 계획을 밝히면서 중국이 한국보다 기술적으로 앞서나가는 것 아니냐는 관측이 제기됐다. 그러나 월가

중국 D램 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 연내 ‘4F²(포에프스퀘어)’ 신기술을 적용한 차세대 서버용 D램 출시를 예고함에 따라 기술 추격에 대한 우려가 커진 가운데, 삼성전자도 해당 기술을 개발 중이라고 14일 재차 밝혔다. 삼성전자와 하이닉스는 또 나란히 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E 샘플 등 차세대 기술을 공개하며 메모리 분야에서의 ‘기술 우위’를 강조했다. 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장은 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’에서 ‘삼성전자도 4F² 기술을 개발하고 있느냐’는 질문에 “그렇다”고 답했다. 잘 준비되고 있느냐는 물음에는 “열심히 하고 있다”고 말했다. 4F²는 D램에서 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀의 면적을 줄이는 기술이다. 기존 6F² 구조보다 셀 면적을 줄일 수 있어, 같은 면적에 더 많은 셀을 넣어 저장 용량을 키울 수 있다. 앞서 올해 2월 삼성전자는 국제고체회로학회(ISSC

중국 최대 메모리 업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 D램 셀 구조인 ‘4F²(포에프스퀘어)’ 신기술을 적용한 차세대 서버용 D램 연내 출시를 예고한 가운데, 삼성전자도 동일 기술을 개발 중이라는 입장을 재차 밝혔다.송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 14일 서울 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’ 현장에서 ‘삼성전자도 4F²를 개발하고 있느냐’는 질문에 “그렇다”고 답했다. 개발 진행 상황에 대한 물음에는 “열심히 하고 있다”라고만 말했다.4F²는 D램에서 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀이 차지하는 면적을 줄여, 같은 면적에 더 많은 데이터를 담도록 하는 기술이다. 현재 주류인 6F² 구조와 비교하면 셀 면적이 약 30% 작아진다.앞서 차오칸위 CXMT 사장이 최근 중국 상하이에서 열린 콘퍼런스에서 연말까지 4F² 기반의 서버용 DDR5 RDIMM(Registered Dual In-line Memory

중국 D램 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 연내 ‘4F²(포에프스퀘어)’ 신기술을 적용한 차세대 서버용 D램 출시를 예고함에 따라 기술 추격에 대한 우려가 커진 가운데 삼성전자도 해당 기술을 개발 중이라고 14일 재차 밝혔다. 삼성전자와 하이닉스는 또 나란히 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E 샘플 등 차세대 기술을 공개하며 메모리 분야에서의 ‘기술 우위’를 강조했다. 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장은 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’에서 ‘삼성전자도 4F² 기술을 개발하고 있느냐’는 질문에 “그렇다”고 답했다. 잘 준비되고 있느냐는 물음에는 “열심히 하고 있다”고 말했다. 4F²는 D램에서 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀의 면적을 줄이는 기술이다. 기존 6F² 구조보다 셀 면적을 줄일 수 있어, 같은 면적에 더 많은 셀을 넣어 저장 용량을 키울 수 있다. 앞서 올해 2월 삼성전자는 국제고체회로학회(