하이에나뉴스

중국 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 D램 셀 구조인 ‘4F²(에프스퀘어)’ 기술을 공개하면서 삼성전자와 SK하이닉스의 기술 우위가 흔들릴 수 있다는 우려가 나오고 있다. CXMT가 해당 기술을 적용한 서버용 D램을 연내 출시하겠다는 계획을 밝히면서 중국이 한국보다 기술적으로 앞서나가는 것 아니냐는 관측이 제기됐다. 그러나 월가

중국 창신메모리가 차세대 D램 출시를 예고하며 추격에 속도를 내자, 삼성전자의 기술 경쟁력에 대한 우려도 커지고 있습니다. 오늘(15일) 코스피는 장 초반 7% 넘게 급락했고, 삼성전자도 8%가량 떨어졌는데요. 하지

중국 D램 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 연내 ‘4F²(포에프스퀘어)’ 신기술을 적용한 차세대 서버용 D램 출시를 예고함에 따라 기술 추격에 대한 우려가 커진 가운데, 삼성전자도 해당 기술을 개발 중이라고 14일 재차 밝혔다. 삼성전자와 하이닉스는 또 나란히 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E 샘플 등 차세대 기술을 공개하며 메모리 분야에서의 ‘기술 우위’를 강조했다. 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장은 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’에서 ‘삼성전자도 4F² 기술을 개발하고 있느냐’는 질문에 “그렇다”고 답했다. 잘 준비되고 있느냐는 물음에는 “열심히 하고 있다”고 말했다. 4F²는 D램에서 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀의 면적을 줄이는 기술이다. 기존 6F² 구조보다 셀 면적을 줄일 수 있어, 같은 면적에 더 많은 셀을 넣어 저장 용량을 키울 수 있다. 앞서 올해 2월 삼성전자는 국제고체회로학회(ISSC

[앵커] 앞서 보신 것처럼 시장에서는 중국 창신메모리의 추격을 주목하고 있습니다. 창신메모리가 다른 반도체 기업들보다 앞서서 D램에 차세대 기술을 적용한 신제품을 출시하겠다고 밝힌 것인데요. 다만 개발에는 성공했더