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SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E의 고객사 평가를 진행하고 있다고 밝혔다. 고객사별 시스템과 작업 특성에 맞춰 성능을 최적화하는 맞춤형(커스텀) HBM 개발도 주요 고객사와 추진하고 있다. SK하이닉스는 28일 열린 올해 3분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 “HBM4E는 지난 2분기에 샘플 공급을 완료했고, 고객 일정에 맞춰 개발과 평가

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)와 서버용 D램 판매 확대에 힘입어 3분기 실적 성장세를 이어갔다. SK하이닉스는 28일 2026년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 HBM4 양산과 출하가 본격화됐으며, 서버용 DDR5 판매량도 전 분기 대비 40% 이상 증가했다고 밝혔다. AI 서버용 메모리 수요가 확대되면서 HBM을 비롯한 고부가가치 제품의 판매 비중이

SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) D램 생산 비중을 빠르게 확대하고 있다. 차세대 고대역폭메모리(HBM4E)부터 1c D램이 HBM을 쌓아 올리는 핵심 칩으로 적용되는 만큼 공정 전환에 속도를 내는 모습이다. 서버·인공지능(AI)향 고부가 메모리 수요가 늘어나는 가운데 삼성전자·마이크론과의 미세공정 전환 경쟁도 한층 치열해지는 양상이다. ◇ “연내 1

SK하이닉스가 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 양산 확대에 속도를 조절하면서 범용 D램 시장 공략에 무게를 싣고 있다. 이미 HBM 매출 비중이 40%를 넘어 압도적 우위를 다진 만큼, 무리한 증설 경쟁보다 공급 부족이 극심한 범용 D램에서 추가 수익을 확보하는 쪽으로 자원 배분을 조정하고 있다는 설명이다. 23일 업계에 따르면 SK하이닉스는 당초 HBM4

SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4E’의 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다. 지난달 조기에 샘플을 공급한 삼성전자에 이어 SK하이닉스까지 예정보다 이른 시점에 HBM4E 샘플을 출하한 것이다. 한국 메모리 업계가 개발 시간표를 앞당기며 차세대 고성능 메모리 시장에서도 순항 중이라는 평가가 나온다.● 개발 시간표 앞당겨 조기 공급18일 SK하이닉스는 “HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보였다”고 밝혔다. 앞서 SK하이닉스는 1분기(1∼3월) 실적 발표에서 “하반기(7∼12월) (HBM4E) 샘플 공급에 나설 계획”이라며 “내년(2027년) 양산을 목표로 순조롭게 개발하고 있다”고 밝힌 바 있다. 당초 계획보다 샘플 공급 시점을 앞당긴 것이다. 삼성전자 역시 3분기(7∼9월)로 예고했던 샘플 공급을 앞당겨 지난달 말 고객사에 HBM4E 샘플을 전달했다. 엔비디아 등 AI 칩에 HBM을 탑재하는 빅테크에 샘플이 공급된 것으로 전해졌다.SK하이닉스는 HBM

SK하이닉스가 인공지능 시장을 겨냥한 차세대 고대역폭메모리 HBM4E 12단 시제품을 주요 거래선에 인도하며 기술 검증에 착수했다고 18일 밝혔다.SK하이닉스는 그동안 누적된 기술 자산과 제조 경험을 토대로 이번 신제품을 적기에 선보이게 됐다며, 주요 파트너들과의 긴밀한 조율을 거쳐 본격적인 양산 체제를 구축하겠다는 방침을 전했다.이번에 공개된 제품은 전작인 HBM4와 비교해 연산 능력과 전력 효율성을 대폭 끌어올린 점이 돋보인다. 핀당 데이터 전송 속도를 16Gbps까지 높였고 소모 전력은 20% 이상 줄였다. 대규모 연산이 필요한 인공지능 가속기의 가동 효율을 한 단계 끌어올릴 것이라는 관측이 나온다.신형 인터페이스와 고도화된 회로 설계를 적용해 신호 전달 지연도 최소화했다. 대량의 데이터가 쉼 없이 오가는 환경에서도 구동 안정성을 확보해, 차세대 데이터센터와 초대형 연산 시스템의 처리 능력을 극대화할 수 있을 것으로 예상된다.제조 공정에는 한층 진화한 액체 보호재 주입

삼성전자와 SK하이닉스 간 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 공급 경쟁이 달아오르고 있다. 올해 초 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 선점 경쟁을 벌인 두 회사가 불과 3주 차이로 HBM4E(7세대) 샘플 공급을 본격화하는 등 차세대 메모리 주도권 다툼이 고조되는 양상이다.SK하이닉스는 18일 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM4E’ 12단 샘플···

SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4E’의 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다. 예정보다 일정을 앞당긴 것으로, 지난달 조기에 샘플을 공급한 삼성전자에 이어 한국 메모리업계가 개발 시간표를 앞당기며 순항 중이라는 평가가 나온다. 18일 SK하이닉스는 “HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보였다”고 밝혔다. 앞서 SK하이닉스는 1분기(1∼3월) 실적 발표를 통해 “하반기(7~12월) (HBM4E) 샘플 공급에 나설 계획”이라며 “내년(2027년) 양산을 목표로 순조롭게 개발하고 있다”고 밝힌 바 있다. 당초 계획보다 샘플 공급 시점을 앞당긴 것이다. 삼성전자 역시 3분기(7~9월)로 예고했던 샘플 공급을 앞당겨 지난달 말 고객사에 HBM4E 샘플을 전달한 바 있다. SK하이닉스는 HBM4E가 직전 세대인 HBM4보다 성능과 전력 효율을 모두 한 단계 끌어올린 제품이라고 설명했다. 데이터 처리 속도를 핀당 최대 16Gbps(초당 기가비트)로 끌어올렸고, 에너지 효

SK하이닉스가 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM4E’ 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔다. 이번 신제품은 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 한 단계 끌어올린 것이 특징이다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선해, AI 학습과 추론에 필수적인 데이터 처리 성능을 대폭 높였다. 최신 인터페이스와 설계 최적화로 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현해, 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 한층 높일 수 있다. SK하이닉스는 HBM4E에 독자적인 ‘어드밴스드(Advanced) MR-MUF’ 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현하는 동시에 구조 안정성을 높였다. 특히 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰, 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 안정적으로 동작하도록 했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩