하이에나뉴스

SK하이닉스가 기존 6F² D램 셀 구조를 최대한 활용하면서 차세대 4F² 및 3차원(3D) D램 기술 개발을 병행하겠다고 밝혔다. SK하이닉스는 28일 2026년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “극자외선(EUV) 기반 미세공정과 공정 혁신을 통해 기존 6F² 플랫폼의 기술적 확장 여력을 확보했다”고 설명했다. 4F²는 기존 6F²보다 메모리 셀 면적을 줄

중국 CXMT가 지난 29일 웨이보를 통해 차세대 저전력 D램 ‘LPDDR6’ 양산을 공식화하며 이를 “세계 최초 상용화”라고 자평했지만, 제품 사양과 계획 등을 점검하면 현실성이 떨어진다는 지적이 이어지고 있습니다. 삼성전자와 SK하이닉스는 이미 같은 제품 개발을 마치고 올 하반기 양산 채비를 갖춘 상태로, CXMT의 ‘최초’ 주장이 업계 상식과 맞지 않

SK하이닉스, 소캠2 192GB 본격 양산SK하이닉스, 소캠2 192GB 본격 양산 (서울=연합뉴스) SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) LPDDR5X 저전력 D램 기반 차세대 메모리 모듈 규격인 SOCAMM(소캠·서버용 저전력 메모리 모듈)2 192GB 제품을 본격 양산한다고 20일 밝혔다. 사진은 SK하이닉스 소캠2 192GB 제품. 2026.4.20 [SK하이닉스 제공. 재판매 및 DB 금지] photo@yna.co.kr (끝) ...

SK하이닉스가 차세대 AI 서버용 메모리 모듈인 SOCAMM2 192GB 제품 양산에 들어갔다고 20일 밝혔다. SOCAMM2는 저전력 D램(LPDDR)을 기반으로 서버 환경에 맞게 설계된 메모리 모듈로, AI 서버 등에서 활용되는 제품이다. 이번 제품은 10나노급 6세대(1c) 공정 기반 LPDDR5X를 적용했으며, 기존 서버용 RDIMM 대비 대역폭과

삼성전자가 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4용 D램 수율을 끌어올리는 데 총력을 기울이고 있다. 현재 업계 최첨단 10나노 6세대(1c) D램 수율은 예상보다 빠르게 끌어올렸지만, HBM4에 필요한 실효 수율은 아직 추가 보완이 필요한 상태다. 15일 업계에 따르면 삼성전자의 1c D램 수율은 최근 의미 있는 수준까지 올라온 것으로 전해졌다. 업계에

SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM) HBM4E의 두뇌를 담당하는 ‘로직 다이’에 TSMC의 3나노미터(㎚·10억분의 1m) 공정을 주력으로 활용하는 방안을 유력하게 검토하고 있는 것으로 알려졌다. HBM에 적층되는 D램뿐만 아니라 HBM의 연산 처리를 담당하는 로직 다이에 첨단 공정을 활용하면서 성능에서 우위를 점하겠다는 것으로 보인다. 올해 양산

인공지능(AI)의 고도화로 인해 저전력, 고효율 메모리 반도체에 대한 수요가 커지고 있다. 기존의 값비싸고 성능이 뛰어난 고대역폭메모리(HBM) 일변도에서 벗어나 AI용 ‘가성비’ 메모리 시장이 본격적으로 열리기 시작한 것이다. 여기에 맞춰 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 3사의 신제품 경쟁도 치열해지고 있다.SK하이닉스는 10일 6세대(1c) 공정으로 만든 16Gb(기가비트) 저전력(LP)DDR6 D램을 세계 최초로 개발했다고 밝혔다. LPDDR은 스마트폰, 태블릿 등 모바일 제품에 들어가는 D램이다. 1c는 현재 메모리 업계에서 상용화된 D램 공정 가운데 가장 앞선 공정이다. SK하이닉스의 LPDDR6는 이전 세대인 LPDDR5X 대비 데이터 처리 속도가 33% 향상됐다. 전력은 20% 이상 절감하는 구조로 설계됐다. SK하이닉스는 상반기(1∼6월) 내 양산 준비를 마치고 하반기(7∼12월)부터 제품을 공급할 예정이다. SK하이닉스는 “스마트폰, 태블릿 등 기기

인공지능(AI)이 고도화, 다변화하며 저전력·고효율 메모리 반도체를 둘러싼 경쟁이 치열해지고 있다. AI의 활용처가 확대되며 기존 고대역폭메모리(HBM)와 같은 고성능 중심에서 ‘가성비’ 제품으로 반도체 생태계가 확장되는 것이다.SK하이닉스는 10일 6세대(1c) 공정으로 만든 16기가비트(Gb) 저전력(LP)DDR6 D램을 세계 최초로 개발했다고 밝혔다. LPDDR은 스마트폰, 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램이다. 반도체는 미세 공정일수록 높은 성능과 전력 효율을 나타내는데 1c 공정은 현재 상용화된 D램 공정 가운데 가장 미세한 첨단 공정이다. SK하이닉스는 “상반기(1~6월) 내 양산 준비를 마치고 하반기(7~12월)부터 제품을 공급, AI 구현에 최적화된 범용 메모리 라인업을 구축해 나가겠다”고 했다.SK하이닉스의 1c LPDDR6는 스마트폰, 태블릿 등 기기 내 AI를 탑재한 ‘온디바이스 AI’에 주로 활용될 전망이다. 이전 세대인 LPDDR5X 대비 데이터

SK하이닉스는 10일 10나노급 6세대(1c) 미세 공정을 적용한 16기가비트(Gb) LPDDR6 D램 개발에 성공하며 모바일 AI 메모리 시장의 세대교체를 선언했다. 이번 성과는 지난 1월 국제 가전 박람회(CES)에서 기술적 청사진을 제시한 이후, 업계에서 가장 빠르게 제품 인증을 마쳤다는 점에서 의미가 크다.신제품은 정보 처리 속도를 이전 세대 대비 33% 끌어올려 초당 10.7기가비트 이상의 동작 속도를 구현했다. 이는 기기 자체에서 인공지능 연산을 수행하는 온디바이스 AI 환경에서 데이터 병목 현상을 해결할 핵심 열쇠가 될 전망이다. 전력 소모를 20% 이상 절감하며 모바일 기기의 고질적인 문제인 배터리 효율과 발열 제어 능력을 동시에 확보했다는 평가를 받는다.업계에서는 이번 개발을 두고 SK하이닉스가 고대역폭 메모리(HBM) 시장의 성공 방정식을 저전력 메모리 시장으로 이식했다는 분석을 내놓고 있다. 서버용 AI 시장을 장악한 데 이어, 스마트폰과 태블릿 등 일반 사용

(서울=연합뉴스) 조성흠 기자 = SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb(기가비트) LPDDR6 D램을 개발하는 데 성공...